Igbt À Appauvrissement - Peak Atlas DCA Pro Manuel De L'utilisateur

Atlas DCA Pro - Manuel de l'utilisateur
IGBT à appauvrissement
Les IGBT de type à appauvrissement sont caractérisés
par le fait qu'un courant est capable de circuler entre le
collecteur et l'émetteur même si une tension nulle est
appliquée au couple grille-émetteur.
En ce qui concerne un IGBT de type Canal N à appauvrissement, ce transistor
ne peut être complètement bloqué que si la tension au niveau de la grille est
plus négative que celle présente à l'émetteur.
Dans cet exemple, nous avons un
IGBT type Canal N à appauvrissement
sans diode de roue libre.
Notez la tension de seuil négative de la
grille ce qui caractérise un IGBT à
appauvrissement.
N-Ch Depletion
mode IGBT
Red-E Green-G Blue-E
Gate threshold
V GE ( on )=-3.955V
at I C =5.00mA
Page 24
Décembre 2015 – Rev 1.4
G
C
E