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Transistors MOSFET à appauvrissement
La jonction des MOSFET à appauvrissement - assez rare - est
très similaire à la jonction conventionnelle des FET (JFET),
sauf que la grille est isolée par rapport au drain et à la source.
La résistance d'entrée de ces transistors peut généralement être
supérieure à 1000MΩ pour des tensions grille-source négatives
ou positives.
Les transistors FET à appauvrissement
sont caractérisés par la tension grille-
source, tension nécessaire au contrôle
du courant drain-source.
Les transistors FET à appauvrissement
modernes
ne
disponibles que dans la version Canal N
et présenteront un certain courant de fuite entre drain et source même si une
tension nulle est appliquée au couple grille-source. Ce type de transistor ne
peut être complètement bloqué qu'en rendant sa grille nettement plus négative
que sa source, disons -5V. C'est cette caractéristique qui les rend si semblables
au JFETs conventionnels.
sont
généralement
MOSFET
à appauvrissement
N-Ch Depletion
mode MOSFET
Red-S Green-G Blue-D
Gate threshold
V GS ( on )=-2.918V
at I D =5.00mA
I DS
MOSFET
à enrichissement
5mA
Page 22
Décembre 2015 – Rev 1.4
V GS
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