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Atlas DCA Pro - Manuel de l'utilisateur
Chute de tension base-émetteur
Les caractéristiques courant continu de la
jonction base-émetteur
conjointement par la chute de tension directe
base-émetteur (V
base(IB) utilisés pour la mesur.
V BE =0.703V
at I B =5.00mA
La chute de tension base-émetteur permet l'identification des transistors à base
de silicium ou à base de germanium. Ceux à base de germanium peuvent
présenter des chutes de tension base-émetteur aussi faibles que 0,2V, alors que
ceux au silicium affichent des résultats avoisinant les 0,7V. Les transistors
Darlington peuvent avoir des chutes de tension avoisinant les 1,2V en raison de
la multiplicité des jonctions bases-émetteurs mesurées.
Il est important de noter que le DCA Pro n'effectue pas les tests de
chute de tension de la base-émetteur avec le même courant que celui
utilisé pour la mesure du courant de gain. V
de base d'environ 5mA. Le courant de base utilisé lors de la mesure de
gain est égal à I
sont
) et par le courant de
BE
/h .
C FE
I B
affichées
Cet exemple montre une tension de
base-émetteur NPN (V
pour un courant de test de base (I
5mA.
BE
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Décembre 2015 – Rev 1.4
V BE
) de 0,703V
BE
est mesuré à un courant
) de
B