3.7 Prueba de transistor
1) Coloque el selector de rango en la posición "hFE"
2) Determine el tipo de transistor (NPN o PNP).
3) Localice la base, el emisor y el colector.
4) Conecte los cables a las conexiones del soporte de transistor.
5) El factor de amplificación hFE medio se visualiza en la pantalla.
(Circunstancia de prueba: corriente de base: 10µ A, Vce: 2.8V)
4. Especificaciones
Se puede esperar una exactitud óptima hasta después de 1 año después de la calibración. Las condiciones ideales
de funcionamiento exigen una temperatura de 18°C a 28°C y un grado de humedad relativa máx. de 75%.
4.1 Especificaciones generales
Entrada de tensión máx. entre entradas
Pantalla
Fusibles de protección
Alimentación
Selección de rango
Indicación de polaridad
Indicador de sobre rango
Indicador de batería baja
Temperatura de funcionamiento
Temperatura de almacenamiento
Dimensiones
Peso
4.2 Voltios CC (Tensión continua)
Gama
400mV
4V
40V
400V
1000V
Impedancia de entrada: 10M
Tensión de entrada máx.: 1000V CC o 750V CA rms
4.3 Voltios CA (Tensión alterna)
Gama
400mV
4V
40V
400V
750V
Impedancia de entrada: 10M
Tensión de entrada máx.: 1000V CC o 750V CA rms
Rango de frecuencia: 40Hz ~ 200Hz para el rango 4V, 40Hz ~ 1kHz para cualquier otro rango
Respuesta: media, calibración en rms de una onda sinusoidal
DVM68N
1000V CC o 750V CA rms (seno)
LCD de 3 ¾ dígitos, 3 cambios / seg.
Rango µ A & mA : F 500mA/250V Ø5x20
Rango A: F 10A/250V Ø6.3x32
Pila de 9V
Auto / Manual
se visualiza " - "
se visualiza " OL " automáticamente
se visualiza " "
de 0°C a 40°C
de -10°C a 60°C
91 x 189 x 31.5mm
310 g (pila incl.)
Resolución
0.1mV
1mV
10mV
100mV
1V
Resolución
0.1mV
1mV
10mV
100mV
1V
(tipo 6F22)
Precisión
± (0.7% lectura + 2 dígitos)
± (0.8% lectura + 2 dígitos)
Precisión
± (3.0% lectura + 3 dígitos)
± (0.8% lectura + 3 dígitos)
± (1.0% lectura + 3 dígitos)
32
VELLEMAN