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Caractéristiques techniques
12.1
Caractéristiques générales
Tableau 12- 1 Appareils à semiconducteurs - caractéristiques générales
Caractéristiques générales
Température ambiante
en service, déclassement à partir de 40 °C
à l'entreposage
Altitude d'implantation
Résistance aux chocs selon DIN CEI 60068-2-27
Résistance aux vibrations selon DIN CEI 60068-2-6
Degré de protection
Compatibilité électromagnétique (CEM)
Emission selon NF CEI 60947-4-2
•
-
tension perturbatrice due aux câbles
-
tension perturbatrice rayonnée à haute
fréquence
Immunité
•
2)
-
décharges électrostatiques selon
NF CEI 61000-4-2 (correspond au niveau
de sévérité 3)
-
perturbations conduites, induites par les
champs radioélectriques
selon NF CEI 61000-4-6
-
champs électromagnétiques rayonnés aux
fréquences
radioélectriques selon NF CEI 61000-4-3
-
transitoires électriques rapides en salves
selon NF CEI 61000-4-4
-
ondes de choc selon NF CEI 61000-4-5
Type de raccordement
Contacteur à semiconducteurs
•
Contacteur-inverseur à semiconducteurs
•
Innovations SIRIUS - Appareils à semiconducteurs SIRIUS 3RF34
Manuel, 08/2014, A5E03656507230A/RS-AA/002
°C
- 25 ... + 60
°C
- 55 ... + 80
m
0 ...1000;
pour > 1000 m, s'adresser au Support technique
(www.siemens.com/industrial-controls/technical-
assistance)
g
/ms
15/11
g
2
IP20
Classe A pour les environnements industriels
Classe A pour les environnements industriels
kV
Décharge par contact : 4 ; décharge à l'air : 8 ; critère de
comportement 2
MHz
0,15 ... 80 ; 140 dBμV, critère de comportement 1
MHz
80 ... 3000, niveau de test 10 V/m ; critère de
comportement 1
kV
2 / 5,0 kHz ; critère de comportement 1
kV
conducteur - conducteur de protection : 2 ; conducteur -
3)
conducteur : 1 ; critère de comportement 2
Raccordement par bornes à vis et par bornes à ressort
Raccordement par bornes à vis
12
1)
59
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