Fonctions - Siemens SIRIUS 3RF34 Manuel

Fonctions

Performances
Les performances des appareils à semiconducteurs dépendent pour une grande part des
semiconducteurs utilisés et du montage interne. Dans les contacteurs à semiconducteurs et
dans les relais à semiconducteurs SIRIUS, seuls des thyristors sont mis en œuvre au lieu
des triacs moins puissants. Deux caractéristiques essentielles des thyristors sont la tension
de blocage et l'intégrale de destruction.
Tension de blocage
Les thyristors à tension de blocage élevée peuvent être exploités sans problème dans les
réseaux présentant des tensions perturbatrices importantes. Dans la plupart des cas, les
mesures de protection séparées telles que le montage d'une varistance ne sont pas
nécessaires.
Les appareils à semiconducteurs SIRIUS contiennent par ex. des thyristors avec une tension
de blocage de 800 V pour l'emploi dans des réseaux jusqu'à 230 V. Pour les réseaux avec
des tensions plus élevées, on a recours à des thyristors allant jusqu'à 1600 V.
Intégrale de destruction
L'indication de l'intégrale de destruction (I²t) sert entre autres à dimensionner la protection
contre les courts-circuits. Un semiconducteur de puissance ne pourra être protégé contre la
destruction par court-circuit au moyen d'un organe de protection assorti à l'application que
s'il est de taille suffisante avec une grande valeur correspondante pour I²t. Mais les appareils
à semiconducteurs SIRIUS se distinguent aussi par des thyristors assortis de manière
optimale (valeur de I²t) aux courants assignés. Les courants assignés selon EN 60947-4-2
qui sont indiqués sur les appareils sont confirmés par des tests très complets.
Innovations SIRIUS - Appareils à semiconducteurs SIRIUS 3RF34
Manuel, 08/2014, A5E03656507230A/RS-AA/002
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