Table des Matières
Publicité
Résumé des caractéristiques RAIDR Express
Interface
Capacité
Contrôleur
Mémoire Flash
Vitesse de lecture sequentielle*
Vitesse d'écriture sequentielle*
Lecture 4K IOPS*
Écriture 4K IOPS*
Périphérique de démarrage
Temps moyen entre pannes
Chiffrage de données
Fiabilité des données
NCQ
6
PCIe 2.0 x2
240 Go
Dual LSI
SandForce SF-2281
®
TOSHIBA
19nm 16K Page Size MLC Sync-
®
NAND Flash
830 MB/s
810 MB/s
Jusqu'à 100,000 IOPS
Jusqu'à 100,000 IOPS
Oui
620,000 heures
AES 128-bits
•
Jusqu'à 55 bits corrigibles par secteurs de
512 octets (BCH)
•
Erreurs de lecture irrécupérables : moins
d'un secteur par 10
toute la mémoire interne ; protection CRC
complète ; RAISE
Prise en charge d'un maximum de 32 commandes
de bits ECC sur
16
Publicité
Table des Matières
