Einsatz Der Speicherfunktion Mem; Fehlermeldungen; Anwendungsbeispiele; Bipolar-Transistoren - Hameg НМ6042 Manuel

A n w e n d u n g s b e i s p i e l e

Einsatz der Speicherfunktion MEM

Für die Selektion von Transistoren bietet der HM6042 eine sehr
hilfreiche Speicherfunktion. Durch die Taste MEM
sich die Parameter eines Transistors speichern und mit ei-
nem weiteren Bauteil des gleichen Typs vergleichen. Dadurch
lassen sich sehr einfach Selektionen hinsichtlich der Para-
, β, h11, h21, h22, y21 und y22 durchführen.
meter I / I
C D
Zuerst wird der gewünschte Parameter für den Referenz-
transistor gemessen. Der Referenztransistor befindet sich auf
der linken Seite des Adapters, der Schiebeschalter des Adapters
ist in der linken Position. Wird dann die Taste MEM
werden die gemessenen Werte der statischen Parameter intern
gespeichert und können so mit den Parametern eines zweiten
Transistors verglichen werden. Im Display
∆-Zeichen zur Unterscheidung der Relativwerte von den
Referenzwerten. Außerdem wird die Anzeige auf „0" gesetzt. Der
zweite DUT sollte auf der rechten Seite des Adapters angeschlos-
sen und der Schiebeschalter des Adapters nach rechts gescho-
ben werden. Anschließend erscheinen im Display
eines Vergleichstransistors die Differenzwerte bezogen auf den
Referenztyp. Es werden keine %-Angaben angezeigt, sondern
direkt die Differenzwerte. Ein weiterer Druck auf die Taste
MEM deaktiviert diese Funktion.

Fehlermeldungen

Wird eine der folgenden Fehlermeldungen angezeigt, muss
das Gerät zur Neu-Kalibrierung eingeschickt werden. Bitte
beachten Sie dazu unsere Garantie- und Reparatur-
bedingungen auf Seite 7 dieser Bedienungsanleitung.
– „CALIBRATION FAULT"
– „VERIFICATION ERROR"
– „TIMING ERROR"

Anwendungsbeispiele

Bipolar-Transistoren

1. Schließen Sie das zu testende Bauteil an die entsprechen-
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den Eingänge an.
2. Vergewissern Sie sich, dass die Taste BIP/FET
ungedrückt ist.
3. Wählen Sie den Transistortyp (NPN bzw. PNP) mit der Tas-
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te NPN/PNP aus.
4. Stellen Sie die Grenzen für Strom I
21 max. 23
und Leistung P ein.
5. Drücken Sie die Taste DUT
5 Kennlinien werden auf dem Bildschirm abgebildet.
Achtung: Durch die Messung kann sich das
Bauteil erheblich erhitzen.
6. Die vertikale Position der Kennlinien I
gig vom Basisstrom I . Der Basisstrom, und damit auch
B
die Abstände der Kennlinien, können mittels des Drehknopf
verändert werden, wenn die Funktion MAX bzw. MIN
aktiviert ist. Mit dem Drehknopf lässt sich die Lage der
obersten bzw. untersten Kennlinie durch Ändern des
Basisstromes verändern. Bei der Inbetriebnahme ist der
Basisstrom auf ein Minimum eingestellt.
7. Mit den Cursor-Funktionen werden die berechneten Pa-
rameter mit den Tasten
Display dargestellt.
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Änderungen vorbehalten
lassen
gedrückt,
erscheint ein
bei Auswahl
max. 19
, Spannung U
max.
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um die Messung zu starten.
= f(U ) ist abhän-
C CE
ausgewählt und auf dem
Darstellungen der Kennlinien für
Feldeffekttransistoren
Sollen Feldeffekttransistoren untersucht werden, muss die
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Taste BIP/FET gedrückt sein. Der Parameter für die Ver-
schiebung der Kennlinien ist die Gate-Spannung U
chend der Bedienung und Darstellung bei den Bipolar-Tran-
sistoren lässt sich, nach Auswahl der Funktionen MAX oder
MIN , mittels Drehknopf
weise ändern. Die Anzahl der Schritte beträgt 256 bei einer
einstellbaren Spannung von –10 V bis +10 V. Dementsprechend
beträgt die Schrittweite ca. 80 mV. Dabei wird die Schrittzahl
mittels des Drehgebers
schar erkennbar wird.
Achtung!
Bei der Messung von Feldeffekttransistoren kön-
nen Spannungen bis zu 50 V
ten. Dies ist dann der Fall wenn z.B. UD = 40 V
gewählt wurde und die Gate-Spannung mit –10 V
STOP
eingestellt wird. Es wird vorausgesetzt, dass der
HM6042 nur von Personen bedient wird, die mit
den damit verbundenen Gefahren vertraut sind.
15
. Entspre-
G
die Gate-Spannung U schritt-
G
so weit erhöht, dass eine Kurven-
am Bauteil auftre-
DC