Table des Matières
Publicité
Les langues disponibles
Les langues disponibles
▶
EIST
Технология Enhanced Intel SpeedStep позволяет установить уровень
производительности микропроцессора при электропитании от батарей или от
сети. Этот пункт появляется при установке процессора, который поддерживает
технологию SpeedStep.
▶
Intel Turbo Boost
Этот пункт отображается при установке ЦП с поддержкой технологии Intel Turbo
Boost. Этот пункт используется для включения/выключения технологии Intel
Turbo Boost. Она позволяет динамически регулировать частоту процессора при
высоких потребностях приложений в вычислительной мощности и наличии TDP.
Кроме того, эта технология обеспечивает масштабируемость энергопотребления
(Dynamically scale up, Speed-Step Down). Это новая технология компании Intel,
используемая в новых процессорах.
▶
OC Genie Button Operation
Этот параметр используется для включения/выключения функции OC Genie.
▶
DRAM Frequency
Данный параметр используется для установки быстродействия памяти (DRAM).
Обратите внимание , что возможность успешного разгона не гарантируется.
▶
Adjusted DRAM Frequency
Этот пункт показывает текущую частоту DRAM. Это значение нельзя изменять.
▶
DRAM Timing Mode
Определяет будут ли тайминги DRAM контролироваться данными из SPD
(Serial Presence Detect) EEPROM на модуле DRAM. При выборе значения [Auto]
тайминги DRAM, включая пункты меню, перечисленные ниже, устанавливаются
BIOS в соответствии с данными из SPD. Установка значения в [Link] или [Unlink]
позволяет вручную регулировать тайминги DRAM доступные в этом меню.
▶
Advanced DRAM Configuration
Нажмите <Enter> для входа в подменю.
▶
Command Rate
Данная настройка определяет скорость выполнения команд DRAM.
▶
tCL
Этот пункт контролирует время задержки CAS, которое определяет период
(в тактах) между получением памятью SDRAM команды чтения и началом ее
выполнения.
▶
tRCD
При регенерации заряда DRAM строки и столбцы адресуются раздельно.
Этот пункт позволяет определить время перехода от RAS (строб адреса
строки) к CAS (строб адреса столбца). Чем меньше тактов, тем быстрее
работает память DRAM.
▶
tRP
Этот пункт контролирует количество тактов, предоставляемых для
предзаряда Row Address Strobe (RAS). Если выделяется недостаточное
время для заполнения ЗУПВ перед обновлением DRAM, обновление может
оказаться неполным и DRAM не сможет сохранить данные. Этот пункт
применим, когда в системе установлена синхронная память DRAM.
Ru-27
Publicité
Table des Matières
