Séquence de remplissage de la mémoire en mode indépendant pour 8 DIMM par processeur, pour un
total de 16 DIMM par nœud
Tableau 13. Séquence de remplissage de la mémoire en mode indépendant pour 8 DIMM par processeur, pour un total
de 16 DIMM par nœud
Remarque : Un emplacement DIMM doit être doté d'une barrette DIMM ou d'un obturateur DIMM.
Processeur
Emplace-
1
ments DIMM
8 Barrettes
DIMM
Processeur
Emplace-
13
ments DIMM
8 Barrettes
DIMM
Séquence de remplissage de la mémoire en mode indépendant pour 12 DIMM par processeur, pour
un total de 24 DIMM par nœud
Tableau 14. Séquence de remplissage de la mémoire en mode indépendant pour 12 DIMM par processeur, pour un total
de 24 DIMM par nœud
Processeur
Emplace-
1
ments DIMM
12 Barrettes
1
DIMM
Processeur
Emplace-
13
ments DIMM
12 Barrettes
13
DIMM
Identification et emplacement du tampon d'espace/tampon de mastic
Suivez les informations de la présence section afin d'identifier la forme, l'emplacement et l'orientation des
différents tampons d'espace et de mastic utilisés dans le SD665 V3.
Conseils d'installation pour le tampon d'espace et le tampon de mastic
Il existe deux types de tampons thermiques : le tampon de mastic et le tampon d'espace. Lorsque vous
remplacez des composants, remplacez toujours le tampon de mastic. Remplacez le tampon d'espace s'il est
endommagé ou manquant.
Attention : N'utilisez pas de tampon de mastic périmé. Vérifiez la date de péremption sur l'emballage du
tampon de mastic. Si les tampons de mastic ont dépassé la date limite d'utilisation, achetez-en de nouveaux
afin de les remplacer correctement.
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Plateau ThinkSystem SD665 V3 Neptune DWC Guide d'utilisation
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16
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15
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Processeur 1
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7
5
6
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Processeur 2
18
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18
19
20
Processeur 1
5
6
7
5
6
7
Processeur 2
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20
18
19
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8
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8
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