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Caractéristiques techniques
Sorties à transistor PNP relatives à la
sécurité (courts-circuits surveillés,
courts-circuits transversaux surveillés)
Largeur d'impulsion test
Intervalle entre deux impulsions test
Temps de réactivation d'OSSD après in-
terruption de faisceau
AVIS
Les sorties à transistor relatives à la sécurité assurent la fonction de pare-étincelles. Avec les
sorties à transistor, il n'est donc pas utile ni autorisé d'utiliser les pare-étincelles (circuits RC, va-
ristances ou diodes de roue libre) recommandés par les fabricants de contacteurs ou de valves,
car ils prolongent considérablement les temps de relâchement des organes de commutation in-
ductifs.
Tab. 14.6:
Brevets
Brevets américains
14.2
Dimensions, poids, temps de réaction
Les dimensions, le poids et le temps de réaction dépendent des éléments suivants :
• Résolution
• Longueur de la structure
B
R
Fig. 14.1:
Dimensions de l'émetteur et du récepteur
La hauteur effective du champ de protection H
arêtes extérieures des cercles signalés par la lettre « R ».
Leuze electronic GmbH + Co. KG
min.
typ.
60 μs
(5 ms)
60 ms
100 ms
US 6,418,546 B
H
PFN
A
va au-delà des dimensions de la zone optique jusqu'aux
PFE
MLC 100
max.
340 μs
C
R
M12
44
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