Publicité
Les langues disponibles
Les langues disponibles
▶
Advance DRAM Configuraton
При установке DRAM Tmng Mode в [Manual], появляется это подменю. Нажмите
<Enter> для входа в подменю.
▶
CH1/ CH2 1T/2T Memory Tmng
Этот пункт определяет скорость работы памяти SDRAM. Выбор [1N] переводит
контроллер памяти SDRAM в режим работы 1N. Выбор [2N] переводит
контроллер памяти SDRAM в режим работы 2N.
▶
CH1/ CH2 CAS Latency (CL)
Этот пункт контролирует время задержки CAS, которое определяет период
(в тактах генератора) между получением памятью SDRAM команды чтения и
началом ее выполнения.
▶
CH1/ CH2 tRCD
При регенерации заряда DRAM, строки и столбцы адресуются раздельно.
Этот пункт позволяет вам определить время перехода от RAS (строб адреса
строки) к CAS (строб адреса столбца). Чем меньше тактов, тем быстрее работа
DRAM.
▶
CH1/ CH2 tRP
Этот пункт контролирует количество тактов, предоставляемых для предзаряда
Row Address Strobe (RAS). Если выделяется недостаточное время для того,
чтобы RAS набрал необходимый заряд, регенерация DRAM может оказаться
неполной и привести к потере данных. Этот пункт применим, только когда в
системе установлена синхронная память DRAM.
▶
CH1/ CH2 tRAS
Эта установка определяет время, которое RAS затрачивает на чтение и запись
в ячейку памяти.
▶
CH1/ CH2 tRFC
Эта установка определяет время, которое RFC затрачивает на чтение и запись
в ячейку памяти.
▶
CH1/ CH2 tWR
Минимальная временная задержка для выполнения операции записи перед
командой предзаряда. Позволяет усилителям считывания записать данные в
ячейки памяти.
▶
CH1/ CH2 tWTR
Минимальная временная задержка между выполнением команды записи и
началом команды считывания столбца. Позволяет системе ввода/вывода
сбросить напряжения на усилителях считывания.
▶
CH1/ CH2 tRRD
Он определяет задержку перехода от активного-к-активному состоянию для
разных банков.
▶
CH1/ CH2 tRTP
Временный интервал между командами чтения и предзаряда.
▶
CH1/ CH2 tFAW
Этот пункт используется для установки таймингов tFAW.
Русский
Ru-39
Publicité
