Agilent Technologies 33250A Guide D'utilisation page 316

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Chapitre 7 Concepts
Synthèse numérique directe
plus de 16 K points, le générateur de fonctions utilise une mémoire de
signaux d'une capacité de 65 536 (64 K) mots.
L'Agilent 33250A représente des valeurs d'amplitude par 4 096 niveaux
de tension discrets (ou une résolution verticale de 12 bits). Les données
spécifiées pour le signal sont divisées en échantillons de telle sorte qu'un
cycle de signal remplisse exactement la mémoire du signal (voir ci-
dessous la figure représentant une onde sinusoïdale). Si vous créez un
signal arbitraire ne contenant pas exactement 16 K ou 64 K points, le
signal est automatiquement "étiré" en répétant les points ou en
interpolant entre les points existants, selon le cas, afin de remplir la
mémoire du signal. L'intégralité de la mémoire du signal étant remplie
avec un cycle de signal, chaque emplacement de mémoire correspond à
un angle de phase de 2π /16 384 radians ou 2π /65 536 radians.
+2047
Code
0
CAN
4096
(90°)
-2048
Représentation d'une onde sinusoïdale dans la mémoire de signal
Les générateurs de synthèse numérique directe recourent à une
technique d'accumulation de phases pour contrôler l'adressage mémoire
du signal. Au lieu d'utiliser un compteur pour générer des adresses
mémoire séquentielles, un "additionneur" est utilisé (voir à la page
suivante). A chaque cycle d'horloge, la constante chargée dans le registre
d'incréments de phase (PIR, Phase Increment Register) est ajoutée au
résultat courant dans l'accumulateur de phases. Les bits les plus
significatifs de la sortie de l'accumulateur de phases sont utilisés pour
adresser la mémoire du signal. En modifiant la constante PIR, le nombre
de cycles d'horloge requis pour parcourir l'intégralité de la mémoire du
signal change, modifiant ainsi la fréquence de sortie. Lorsqu'une
nouvelle constante PIR est chargée dans le registre, la fréquence du
signal de sortie change continuellement de phase après le cycle d'horloge
suivant.
316
8192
16383
(180°) (360°)
12288
(270°)
Adresse mémoire
(Phase)