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Contenu
Caractéristiques
• Advanced UHC-MOS Single Push-pull Circuit
Des transistors à effet de champ (FET) UHC-MOS nouvelle génération
sont utilisés pour l'étage de sortie de l'amplificateur de puissance. La
recommandation de puissance d'utilisation a été augmentée de 150
watts à 260 watts.
La stabilité de fonctionnement affectée par les fluctuations de température
a été améliorée par l'utilisation du premier étage sélectionné FET double
comme étage d'amplification de tension. De plus, la propriété de phase
a été stabilisée jusqu'à la gamme haute en utilisant le circuit bootstrap
en cascade.
• Alimentation
Pour tirer pleinement parti de l' A dvanced UHC-MOS Single Push–pull
Circuit, cette alimentation puissante consiste en un transformateur
jumeau monté en configuration d'annulation de fuites, des diodes à
barrières de Shottky et un capaciteur de type bloc personnalisé configuré
pour fournir un son de haute qualité.
• Égaliseur de son
Même un utilisateur particulièrement exigeant au niveau des
enregistrements analogiques sera comblé puisque le circuit d'égaliseur
de son pour l'entrée FET prend en charge MM/MC.
Panneau avant
Panneau arrière
Connexions
Lecture
Télécommande
Réglages
• Borne Pre Out
La borne Pre Out permet d'étendre les possibilités du système en
utilisant un autre amplificateur de puissance qui pilote un amplificateur
double avec une enceinte prenant en charge le bi-câblage ou en ajoutant
un subwoofer afin de mettre à niveau le système.
• Adoption d'un potentiomètre large avec fonction motorisée
Cet appareil adopte également un potentiomètre large fourni avec des
amplificateurs intégrés de qualité supérieure.
• Conçu pour supprimer la résonance
Les effets des vibrations sur la qualité audio de cet appareil ont été
considérablement minimisés grâce à la dispersion des points de
résonance en variant les configurations des ailettes du dissipateur de
chaleur et en abaissant le centre de gravité du bloc d'amplificateur de
puissance.
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Index
Conseils
Annexe
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