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MS-7673 Mainboard
MS-7673 Mainboard
nahme bestehen. Die Leistung kann dynamisch erhöht oder reduziert werden. Diese
Technologie ist ein Bestandteil neuer Intel Prozessoren.
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DRAM Ratio
Die Einstellung steuert das Verhältnis der Speicher-Frequenz, um unterschiedliche
Kombinationen der Speicherfrequenzen einzustellen.
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Adjusted DRAM Frequency
Zeigt die Speicherfrequenz an. Nur Anzeige – keine Änderung möglich.
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Extreme Memory Profile(X.M.P)
Hier können Sie das Intel Extreme-Memory-Profile (X.M.P.) aktivieren/ deaktivieren.
Weitere Informationen erhalten Sie auf der offizielle Intel-Website oder beim jeweiligen
Speicherhersteller.
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DRAM Timing Mode
Wählen Sie aus, wie das DRAM-Timing durch das SPD (Serial Presence Detect) EE-
PROM des DRAM-Moduls gesteuert wird. Die Einstellung [Auto] ermöglicht die automa-
tische Erkennung der DRAM-Timings anhand der SPD Daten. Im Untermenü Advanced
DRAM Configuration können die Einstellungen für die Module einzeln [Unlink] oder für
alle Module gemeinsam [Link] manuell vorgenommen werden.
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Advanced DRAM Configuration
Drücken Sie die Eingabetaste <Enter>, um das Untermenü aufzurufen.
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Command Rate
Legt die DRAM Kommandorate fest.
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tCL
Hier wird die Verzögerung (CAS-Timing) in Taktzyklen eingestellt, bevor das SDRAM
einen Lesebefehl nach dessen Erhalt ausführt.
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tRCD
Wenn DRAM erneuert wird, werden Reihen und Spalten separat adressiert. Dies
gestattet es, die Anzahl der Zyklen und der Verzögerung einzustellen, die zwischen
den CAS und RAS Abtastsignalen liegen, die verwendet werden, wenn der DRAM
beschrieben, ausgelesen oder aufgefrischt wird. Eine hohe Geschwindigkeit führt zu
höherer Leistung, während langsamere Geschwindigkeiten einen stabileren Betrieb
bieten.
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tRP
Legt die Anzahl der Taktzyklen fest, die das Reihenadressierungssignal (Row Ad-
dress Strobe - RAS) für eine Vorbereitung bekommt. Wird dem RAS bis zur Auf-
frischung des DRAM nicht genug Zeit zum Aufbau seiner Ladung gegeben, kann der
Refresh unvollständig ausfallen und das DRAM Daten verlieren. Dieser Menüpunkt
ist nur relevant, wenn DRAM verwendet wird.
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tRAS
Diese Einstellung definiert die Zeit (RAS) zum Lesen und Schreiben einer Speicher-
zelle.
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tRFC
Diese Einstellung definiert die Zeit (RFC) zum Lesen und Schreiben einer Speicher-
zelle.
De-32
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