MSI H6M-P30 B3 Serie Mode D'emploi page 133

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oC Genie Button operation
本項用以開啓或關閉 oC Genie 功能。
drAM Frequency
本項調整記憶體頻率。
Adjusted drAM Frequency
本項顯示調整後記憶體的頻率。唯讀。
drAM timing Mode
本項選擇是否由在 drAM 模組上的 SPd (Serial Presence detect) eeProM
來配置 drAM 時序。設為 [Auto] 開啟記憶體時序以及以下 "Advanced drAM
Configuration" 子選單由 SPd 設定上的 BioS 控制。選擇 [Link] 或 [Unlink] 可手
動設定記憶體時序及 "Advanced drAM Configuration" 的相關選項。
Advanced drAM Configuration
按下 <enter> 鍵以進入子選單。
Command rate
本設定控制 drAM command rate。
tCL
本項控制行位址信號 (CAS) 延遲，也就是於 SdrAM 接收讀取指令後，開始進
行讀取前的延遲時間 (以時脈計)。
trCd
在 drAM 更新時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (rAS) 到行位
址 (CAS) 之間的過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
trP
本項控制列位址(rAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更
新之前預充電，更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系
統安裝同步動態隨機存取記憶體時。
trAS
本項指定 rAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
trFC
本項指定 rFC 由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWr
本項是寫入資料結束到預充電指令開始間的最短間距。本項透過感覺放大器
(sense amplifier)回復資料。
MS-7680
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