RME AS4002P Manuel D'utilisation page 8

Mesure de la tension de seuil
La tension de seuil est négative pour les transistors canal N et positive pour les
transistors canal P. La valeur maximum de mesure est de ±20V, la valeur minimum
de ±0,5V. La résolution est de 10mV pour les valeurs jusqu'à ±9,99V et de 100mV
au-dessus.
L'exemple ci-contre montre le résultat
pour un JFET canal N.
Mesure du courant de saturation
Le courant de saturation peut être
déterminé sur une échelle allant de
0.5mA à 500 mA. La résolution est de 10
µA pour les courants jusqu'à 10 mA,
100µA jusqu'à 99,9 mA et 1mA au-delà. Les transistors possédant un faible
courant I (inférieur à 2mA) l'analyseur affichera la valeur 0.00mA.
DSS
Mesure de la résistance RDSON
AS4002P
L'analyseur
résistance R entre 0 et 999Ω avec
DSON
une résolution de 1Ω. Les transistors à
faibles I (<2mA) donneront une
DSS
valeur instable ou « --- ».
3.4 TRANSISTORS MOSFETs
Une caractéristique importante des MOSFETs à enrichissement est la tension de seuil à partir de
laquelle il y a conduction du transistor. En dessous de cette valeur le transistor est bloqué et il n'y a
pas de courant circulant entre le drain et la source. Les MOSFETs à enrichissement comportent
une diode parasite entre le drain et la source.
peut évaluer la
Le signe MOSFET signifie Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Comme les JFET, ils sont disponibles sous deux types différents : canal N et les
canal P. La plupart des MOSFETs sont du type à enrichissement, c'est-à-dire
que la tension grille-source est toujours positive pour le canal N. L'autre type
(relativement rare) est le transistor MOSFET à appauvrissement. Ce dernier
est reconnu par l'analyseur et le brochage est affiché (type N uniquement).
Les MOSFETs ont une grille isolée qui introduit un très faible courant de
grille, aussi bien pour les tensions positives que pour les tensions négatives.
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