Chapitre 1: Introduction; Chapitre 2: Caractéristiques - RME AS4002P Manuel D'utilisation

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CHAPITRE 1 : INTRODUCTION
Nous vous félicitons pour l'acquisition de l'analyseur de semiconducteurs
AS4002P,
un instrument qui se révèlera d'une grande utilité, et qui peut
identifier facilement et de façon fiable un grand nombre de semiconducteurs.
CHAPITRE 2 : CARACTERISTIQUES
Reconnaissance automatique des composants suivants:
⇒Transistors bipolaires
⇒Transistors Darlington
⇒Transistors MOSFET à enrichissement et à appauvrissement
⇒Transistors FET à jonction
⇒Triacs
⇒Thyristors
⇒Diodes et réseaux de diodes
⇒Transistors unijonction
⇒Composants défectueux en court-circuit
Paramètres mesurés et autres particularités
⇒Reconnaissance automatique du brochage pour tous les composants ci-dessus
⇒Mesure du gain en courant pour les transistors bipolaires
⇒Affichage du courant de collecteur ou de drain
Mesure de V
BE
⇒Reconnaissance des résistances shunt Base-Emetteur
⇒Reconnaissance des diodes de protection Collecteur-Emetteur
Mesure du courant de fuite de collecteur I
⇒Reconnaissance automatique du type de semi-conducteur (Ge/Si)
⇒Mesure de la tension de seuil des MOSFET
Mesure de la tension de seuil, de I
⇒Mesure de la tension et du courant direct pour des diodes
⇒Mesure du courant de fuite des diodes
Mesure des paramètres R
⇒Mesure de la résistance de court-circuit des composants défectueux
Mise en place de la pile : Utiliser une pile 9V en respectant la polarité. Une
inversion de la polarité ne conduira pas à la destruction de l'analyseur, mais
empêcherait le fonctionnement.
et de I
B
et η pour les transistors unijonction
BB
AS4002P, manuel d'utilisation
CE0
et de R
pour les JFET
DSS
DSON
3

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