Dell DX6104-CSN Manuel Du Propriétaire page 47

REMARQUE : Les barrettes DIMM DRAM de largeur x4 et x8 peuvent être mélangées pour offrir une prise en
charge des fonctionnalités RAS. Toutefois, toutes les recommandations pour des fonctionnalités RAS spécifiques
doivent être respectées. Les barrettes DIMM DRAM de largeur x4 conservent la correction SDDC (Single Device
Data Correction) dans le mode d'optimisation de la mémoire (canal indépendant). Les barrettes DIMM DRAM de
largeur x8 nécessitent le mode Fonctions ECC avancées pour profiter de la correction SDDC.
Les sections suivantes offrent des recommandations supplémentaires relatives au remplissage de logements pour
chaque mode.
Fonctions ECC avancées (Lockstep)
Le mode Advanced ECC (Fonctions avancées) permet d'étendre la SDDC des barrettes DIMM DRAM de largeur x4 aux
DRAM de largeur x4 et x8. Ce mode permet de protéger le système contre les échecs de puce DRAM seule au cours du
fonctionnement normal.
Consignes d'installation de la mémoire :
• Les barrettes de mémoire A1, A4, B1 et B4 sont désactivées et ne prennent pas en charge le mode ECC
avancées.
• Les barrettes DIMM doivent être installées par paires identiques. Les barrettes DIMM installées dans les
supports de mémoire (A2, B2) doivent correspondre aux barrettes de mémoire DIMM installées dans les
supports de mémoire (A3, B3) et les barrettes DIMM installées dans les supports de mémoire (A5, B5) doivent
correspondre aux barrettes de mémoire DIMM installées dans les supports de mémoire (A6, B6).
REMARQUE : Les fonctions ECC avancées avec mise en miroir ne sont pas prises en charge.
Mode Memory Optimized (Independent Channel) [Optimisation de la mémoire (canal indépendant)]
Ce mode prend en charge la SDDC uniquement pour les barrettes de mémoire qui utilisent une largeur de périphérique
x4 et qui n'imposent aucune exigence spécifique relative à la population d'emplacements.
Memory Sparing (Mémoire de réserve)
REMARQUE : Afin d'utiliser la mémoire de réserve, cette fonction doit être activée dans la configuration du
système.
Dans ce mode, une rangée par canal est réservée. Dans le cas où des erreurs corrigeables persistantes sont détectées
sur une rangée, les données de cette rangée sont copiées sur la rangée de réserve et la rangée défaillante est
désactivée.
Lorsque la mémoire de réserve est activée, la mémoire système disponible du système d'exploitation est réduite d'une
rangée par canal. Par exemple, dans un système à trois barrettes de mémoire DIMM double rangée de 8 Go, la mémoire
système disponible est : 1/2 (rangées/canal) × 3 (barrettes de mémoire DIMM) × 8 Go = 12 Go et non pas 3 (barrettes de
mémoire) × 8 Go = 24 Go.
REMARQUE : La mémoire de réserve n'offre aucune protection contre une erreur non corrigeable sur plusieurs
bits.
REMARQUE : Les modes Fonctions ECC avancées/Lockstep et Optimisation prennent en charge la mémoire de
réserve.
Memory Mirroring (Mise en miroir de la mémoire)
La mise en miroir de la mémoire offre le mode disposant de la plus forte fiabilité des barrettes DIMM comparativement
aux autres modes. En effet, il offre une protection contre les incidents non corrigeables sur plusieurs bits. Dans une
configuration mise en miroir, la mémoire système totale disponible correspond à la moitié du total de la mémoire
physique installée. La moitié de la mémoire installée est utilisée pour mettre en miroir les barrettes DIMM actives. Dans
le cas d'une erreur non corrigeable, le système bascule sur la copie mis en miroir. Cela garantie la SDDC et la protection
sur plusieurs bits.
Consignes d'installation de la mémoire :
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