Publicité
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
1500
0,005
0,010
0,015
0,020
1000
0,030
0,040
0,050
0,060
0,075
0,100
500
0,150
0,200
0,200
0,200
0
0
20
40
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
2500
0,015
0,020
2000
0,025
0,030
0,040
1500
0,050
0,060
0,075
1000
0,100
0,150
500
0,250
0,250
0,250
0
0
20
40
0,25
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
Date of Publication 2016-02-02
Technische Information /
technical information
DD170N16S
B2
R
[K/W]
thCA
~
60
80
100
120
T
[°C]
A
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
B6
R
[K/W]
thCA
3~
60
80
100
120
T
[°C]
A
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
I
D
+
-
140
0
100
Parameter:
I
D
+
-
140
0
100
Parameter:
Revision 3.2
R-Last
200
300
I
[A]
D
D
tot
thCA
200
300
400
I
[A]
D
D
tot
thCA
Seite/page: 8/10
L-Last
400
500
Publicité
