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Infineon DD170N16S Informations Techniques page 2

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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
prepared by: AG
approved by: MS
Date of Publication 2016-02-02
Technische Information /
technical information
DD170N16S
T
= -40°C... T
vj
vj max
T
= +25°C... T
vj
vj max
T
= 100°C
C
T
= 25°C, t
= 10ms
vj
P
T
= T
, t
= 10ms
vj
vj max
P
T
= 25°C, t
= 10ms
vj
P
T
= T
, t
= 10ms
vj
vj max
P
T
= 25°C i
= 500A
vj
F
T
= T
vj
vj max
T
= T
vj
vj max
T
= T
, v
= V
vj
vj max
R
RMS, f = 50Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50Hz, t = 1 min
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
date of publication: 2016-02-02
revision:
Revision 3.2
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I²t
v
F
V
(TO)
r
T
i
RRM
R
V
ISOL
R
thJC
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
3.2
1600 V
1700 V
260 A
165 A
6600
A
5500
A
217800
A²s
151250
A²s
max.
1,4 V
max.
0,75 V
1,05 mΩ
max.
max.
9 mA
3,6
kV
3
kV
max.
0,09
K/W
max.
0,18
K/W
max.
0,09
K/W
max.
0,18
K/W
max.
0,05
K/W
max.
0,10
K/W
135 °C
- 40...+125 °C
- 40...+125 °C
Seite/page: 2/10

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