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Infineon DD170N16S Informations Techniques page 7

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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
300
250
200
150
100
50
0
0
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Date of Publication 2016-02-02
Technische Information /
technical information
DD170N16S
Θ = 60 rec
50
100
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
Θ = 60 rec
50
100
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage P
Calculation base P
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
180 sin
120 rec
150
200
I
[A]
FAV
180 sin
180 rec
120 rec
150
200
I
[A]
FAVM
TAV
TAV
Revision 3.2
DC
180 rec
250
= f(I
)
FAV
FAV
DC
250
= f(I
)
C
FAVM
Seite/page: 7/10
300
300

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