6.5.2 Amplificateur final X
ll est constitué de trois étages (schéma page 11/18) :
- Un étage de gain à bas nivejlu Ot 105, Ol 1 1 7 rec€vant d'un coté la rampe DDS, te signal
X en mode XY ou le signal TESTX du mode test composants et de l'autre coté la tenaion
el
ml
t -
rôO
9 r a
tent
de cadrage horizontal CADX.
Un étage de recopie et de transformation tension/courant (Q1 113, Ql 114).
Un étage d'attaque du tube comportant deux charges actives constituées par des sources
d e c o u r a n t ( Q l 1 0 7 , 0 1 1 0 8 , Q l 1 0 9 e t Q 1 1 1 0 ) .
La compression de la dynamique X pour la lonction "Beam Findef est réalisée par Zl 1OO.
6.6 Circuits annexes
6.6.1 Circuit Test Composants ( schéma page 14/18 et 3/18 )
Ce circuit permet la représentation de la courbe l= f(V) du composant sous test (la
tension V appliquée au composant est représentée sur I'axe X et le courant I traversant le
composant sur l'axe Y), il comprend :
- Un enroulement spécifique du transformateur d'alimentation (12Vetf / 50Hz)
- Un circuit de décalage du niveau DC (21506, CR1509)
- Une CTP de orotection R 1 501
- Un circuit de lecture du courant appliqué au composant en test et d,aiguillage
vers lavoie Y (R244, R245,2202 et2203).
6.6.2 Circuit de modulation Z
La modulation Z (schéma page 15/18), accessible depuis la BNC en face arrière, attaque
le circuit "ET à diodes" constitué oar CRI 61 8 et 01613.
Le niveau d'allumage et d'extinction de la trace est fixé par le diviseur résistit R1666,
R1667 et le transistor Q1 613.
La résistance série Rl672 et la double diode CR1619 servent de protection de l'entrée Z
contre les surcharoes .
itors
ors,.
nté :