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了超频成功，您可以尝试超频到较低的FSB频率。
advance dRam Configuration（高级内存配置）
按<enter>键进入子菜单。
dRam timing mode（内存时序模式）
选择内存时序是否被内存模组的 SPd (Serial Presence detect) eePRom控
制。设置为 [auto] 开启内存时序选项，BioS根据在SPd中的配置设置下面的"
advance dRam Configuration"子菜单选项。 设置 [manual] 允许用户配置内存
时序和手动设置下列相关 "advance dRam Configuration" 子菜单。
CaS Latency (CL)（CaS 潜伏时间）
当 dRam timing mode 设置为 [manual]，此区域可调整。此项控制行位址信号
（CaS）延迟，即在 SdRam 接收读取指令后，开始进行读取前的延迟时间（
在时钟周期内）。
tRCd
当 dRam timing mode 设置为 [manual]，此区域可调整。在dRam重置时，列
和栏位置是分开处理的。此项设定列位址(RaS)到行位址(CaS)和信号之间的延
迟时间。时序数越少，dRam 的效能越好。
tRP
当 dRam timing mode 设置为 [manual]，此区域可调整。此项控制列位址
(RaS)预充电的时序。若无足够时间，让列位址在 dRam 更新之前预充电，更
新可能会不完全，而且 dRam 可能漏失资料。此项仅适用于系统安装同步动态
随机存取内存时。
tRaS
当 dRam timing mode 设置为 [manual]，此区域可调整。此项指定 RaS 由读
取到写入内存所需时间。
tRtP
当 dRam timing mode 设置为 [manual]，此区域可调整。此项指定读指令和预
充电之间的时间间隔。
tRFC
当 dRam timing mode 设置为 [manual]，此区域可调整。此项指定RFC由读取
到写入内存所需时间。
tWR
当dRam timing mode设置为 [manual]，此项可调整。此项指定从整个有效的
写入过程到内存预充电之间的延迟时脉。为确保预充电前，写入缓冲器的资料
能确实写入内存。
tRRd
当 dRam timing mode 设置为 [manual]，此区域可调整。此项指定不同内存块
active-to-active的延迟。
tWtR
当dRam timing mode 设置为 [manual]，此项调整。此项控制写入资料到读取
指令延迟的内存时序。 包含最后有效读入过程到下次读取指令给同台ddR 装置
间所需的最小时脉。
FSB/dRam Ratio（FSB/dRam 倍频）
此项允许您选择FSB/ dRam倍频到内存。
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