MSI Z75A-G45 Serie Mode D'emploi page 80

MS-7752 Manboard
▶ My OC Gene Long duraton power lmt
Her können Se langfrstge Lestungsgrenze für OC Gene Funkaton anpassen.
▶ My OC Gene Long duraton mantaned
Her können Se de bebehalten lange Dauer für OC Gene Funkaton anpassen.
▶ My OC Gene Short duraton power lmt
Her können Se de kurze Zet Lestungsgrenze für OC Gene Funkaton anpassen.
▶ My CPU Core Voltage/ My OC Gene CPU I/O Voltage/ My OC Gene DRAM
Voltage/ My OC Gene GPU Voltage
Geben Se de Spannung der CPU, des Spechers, GPU und des Chpsatz für OC
Gene Funkaton an.
▶ Current CPU Core Voltage/ Current CPU I/O Core Voltage/ Current DRAM Voltage/
Current GPU Voltage
Zegt de de aktuelle Spannung der CPU/ CPU I/O/ DRAM/ GPU. Nur Anzege.
▶ DRAM Reference Clock
Geben Se den DRAM-Bezugstakt für CPU an. Btte beachten Se, dass de Übertaktung
Verhalten wrd garantert ncht.
▶ DRAM Frequency
Her können Se de Specherfrequenz enstellen. Btte beachten Se, dass de
Übertaktung Verhalten wrd garantert ncht.
▶ Adjusted DRAM Frequency
Zegt de Specherfrequenz an. Nur Anzege – kene Änderung möglch.
▶ Extreme Memory Profile (X.M.P)
Her können Se das Intel Extreme-Memory-Profile (X.M.P.) aktveren/ deaktveren.
Für wetere Informatonen bezehen Se n offizelle Webste des Intel.
▶ DRAM Tmng Mode
Wählen Se aus, we das DRAM-Tmng durch das SPD (Seral Presence Detect) EE-
PROM des DRAM-Moduls gesteuert wrd. De Enstellung [Auto] ermöglcht de automa-
tsche Erkennung der DRAM-Tmngs anhand der SPD Daten. Im Untermenü Advanced
DRAM Configuraton können de Enstellungen für de Module enzeln [Unlnk] oder für
alle Module gemensam [Lnk] manuell vorgenommen werden.
▶ Advanced DRAM Configuraton
Drücken Se de Engabetaste <Enter>, um das Untermenü aufzurufen.
▶ Command Rate
Legt de DRAM Kommandorate fest.
▶ tCL
Her wrd de Verzögerung (CAS-Tmng) n Taktzyklen engestellt, bevor das SDRAM
enen Lesebefehl nach dessen Erhalt ausführt.
▶ tRCD
Des gestattet es, de Anzahl der Zyklen und der Verzögerung enzustellen, de
zwschen den CAS und RAS Abtastsgnalen legen, de verwendet werden, wenn
der DRAM beschreben, ausgelesen oder aufgefrscht wrd. Ene hohe Geschwn-
dgket führt zu höherer Lestung, während langsamere Geschwndgketen enen
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