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Fig. 1
C. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
1. Mesure de la tension de Zener VTo du collecteur (fig. 1)
Comme la tension de Zener de certains
transistors n'est pas d'une valeur pré-
_E~
cise, il est difficile de mesurer ce para-
mètre.
En cas d'une intensité du courant de
base Ib = 0, le courant de collecteur
(dans le domaine de .fonctionnement
normal du transistor), aura une valeur
qui augmente peu ou pas selon la ten-
Sion de collecteur-émetteur appliquée.
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L'impédance aussi augmente donc. Le
courant de collecteur correspondant est
le courant de fuite
I'c(o>•
Si la tension augmente davantage à une valeur déterminée, l'intensité
de courant du collecteur augmentera considérablement et l'impédance
diminuera. Cette partie non-linéaire de la caractéristique ne figure
pas dans les caractéristiques habituelles des transistors. La tension à
laquelle ce phénomène commence à se produire, est appelée la tension
de Zener ("turnover voltage" VTo, comparable avec le Vains des
diodes).
5i la tension était encore augmentée davantage, il se produirait finale-
ment une décharge disruptive. Pour la détermination de la tension de
Zener dans les transistors à faibles puissances (~ 2,5 mW), la tension
d'alimentation peut être augmentée par échelons. A un étage déter-
miné, l'augmentation sera compensée par la perte de tension sur une
résistance série. Alors, la tension appliquée sur le transistor reste
pratiquement constante. Elle est égale à la tension de Zener VTo et la
lecture peut en être faite à l'aide de l'instrument de mesure. Pour les
transistors à puissances plus élevées (> 2,5 mW), ce réglage de la
tension d'alimentation n'est pas nécessaire, parce que dans ce cas-là
le choix d'une résistance série appropriée permet d'atteindre le même
résultat. Pour cette méthode de mesure simplifiée, la définition ampi-
rique suivante est applicable: "La tension de Zener d'un transistor
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