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MS-7636 Mainboard
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DRAM Timing Mode
Wählen Sie aus, ob DRAM-Timing durch das SPD (Serial Presence Detect) EEPROM
auf dem DRAM-Modul gesteuert wird. Die Einstellung [Auto] ermöglicht die automa-
tische Erkennung des DRAM timings und der folgenden "Advance DRAM Configura-
tion" Untermenü durch das BIOS auf Basis der Einstellungen im SPD. Das Vorwählen
[Manual] eingestellt, können Sie den DRAM Timing und die folgenden "Advance DRAM
Configuration" Untermenü anpassen.
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Advance DRAM Configuration
Drücken Sie die Eingabetaste <Enter>, um das Untermenü aufzurufen.
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CH1/ CH2 1T/2T Memory Timing
Können Sie hier die DRAM Timing angeben. Legt die SDRAM Kommandorate fest.
Die Einstellung [1N] lässt den SDRAM Signal Kontroller mit einem 1N ((Taktzyklus)
laufen. Bei [2N] läuft er mit zwei Zyklen.
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CH1/ CH2 CAS Latency (CL)
Hier wird die Verzögerung im Timing (in Taktzyklen) eingestellt, bevor das SDRAM
einen Lesebefehl nach dessen Erhält auszuführen beginnt.
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CH1/ CH2 tRCD
Wenn DRAM erneuert wird, werden Reihen und Spalten separat adressiert. Gestattet
es, die Anzahl der Zyklen der Verzogerung im Timing einzustellen, die zwischen den
CAS und RAS Abtastsignalen liegen, die verwendet werden, wenn der DRAM bes-
chr ieben, ausgelesen oder aufgef rischt wird. Eine hohe Geschwindigkeit fuhrt zu
hoherer Leistung, während langsamere Geschwindigkeiten einen stabileren Betrieb
bieten.
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CH1/ CH2 tRP
Legt die Anzahl der Taktzyklen fest, die das Reihenadress Strobe - RAS) für eine
Vorladung bekommt. Wird dem RAS bis zur Auffrischung des DRAM nicht genug
Zeit zum Aufbau seiner Ladung gegeben, kann der Refresh unvollstandig ausfallen
und das DRAM Daten verlieren. Dieser Menüpunkt ist nur relevant, wenn synchron-
er DRAM verwendet wird.
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CH1/ CH2 tRAS
Diese Einstellung stellt das Nehmen der Zeit RAS fest, um von zu lesen und zu einer
Speicherzelle zu schreiben.
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CH1/ CH2 tRFC
Diese Einstellung stellt das Nehmen der Zeit RFC fest, um von zu lesen und zu einer
Speicherzelle zu schreiben.
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CH1/ CH2 tWR
Mindestausenzeit zwischen Ende des geschreibt Datenstoß und den Anfang eines
Vorladung Befehls. Der Gefühlverstärker kann Daten zu den Zellen zurückstellen.
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CH1/ CH2 tWTR
Mindestausenzeit zwischen Ende des geschreibt Datenstoß und den Anfang des
Kolumnelesen Befehls. Der I/O-Gating kann den Gefühlverstärker übersteueren,
bevor gelesener Befehl beginnt.
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CH1/ CH2 tRRD
Diese Option legt die Aktiv-zu-Aktive Verzögerung von den unterschiedlichen an-
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