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ierungssignal (Row address Strobe - RaS) für eine Vorladung bekommt. Wird
dem RaS bis zur auffrischung des dRam nicht genug Zeit zum aufbau seiner
Ladung gegeben, kann der Refresh unvollstandig ausfallen und das dRam
daten verlieren. dieser menüpunkt ist nur relevant, wenn synchroner dRam
verwendet wird.
tRaS
Wenn das dRam timinG auf [manual] einstellt, stellt diese einstellung das
nehmen der Zeit RaS fest, um von zu lesen und zu einer Speicherzelle zu
schreiben.
tRtP
Lautet die einstellung unter dRam timing [manual], können Sie hier die dRam
timing angeben. Legt die Pausenzeit zwischen ein Lesen Befehl und einem
Vorladung Befehl.
tRFC
Lautet die einstellung unter dRam timing [manual], können Sie hier die dRam
timing angeben. Gestattet es, stellt diese einstellung das nehmen der Zeit
RFC fest, um von zu lesen und zu einer Speicherzelle zu schreiben.
tWR
Lautet die einstellung unter dRam timing [manual], können Sie hier die dRam
timing angeben. unter dieser optionlegen Sie die WR-Verzögerung (in den
taktgeberzyklen) fest. dieses Verzögerung muss garantieren, dass daten
in den schreibenpuffern werden können zu den Speicherzellen geschrieben,
bevor Vor-aufladung auftritt.
tRRd
Lautet die einstellung unter dRam timing [manual], können Sie hier die dRam
timing angeben. diese option legt die aktiv-zu-aktive Verzögerung von den
unterschiedlichen angegrenzter teil des Speicher fest.
tWtR
Lautet die einstellung unter dRam timing [manual], können Sie hier die dRam
timing angeben. Hier stellen Sie den tWtR-Wert (Write data in to Read Com-
mand delay memory timing) ein. dieses setzt die mindestzahl der taktgeber-
zyklen fest, müssen die zwischen dem letzten gültigen Schreibenarbeitsgang
und der folgende gelesene Befehl zur gleichen internen Bank der ddR Vor-
richtung auftreten.
FSB/dRam Ratio
können Sie hier den FSB/Speicher des Ratios anpassen.
adjusted dRam Frequency (mHz)
Gibt der verstellt Frequenz des Speicher. nur anzeige.
auto disable PCi/PCi-e Frequency
Lautet die einstellung auf [enabled] (eingeschaltet), deaktiviert das System die
taktung leerer PCi Sockel, um die elektromagnetische Störstrahlung (emi) zu
minimieren.
dRam Voltage (V), nB Voltage (V), CPu Vtt (V)
diese option bietet ihnen an, die Spannung der CPu, des Speichers und des
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