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AWARD BIOS
Caractéristiques du chipset à lecture burst EDO DRAM
Lecture Burst EDO
La lecture Burst signifie une lecture de quatre cycles
DRAM
mémoire continus sur quatre adresses prédéfinies à
partir du DRAM. La valeur par défaut est x222 pour
x333
EDO DRAM de 60ns. Ça veut dire que les 2ième,
x222
3ième et le 4ième cycle mémoire sont 2 horloges
CPU pour EDO. La valeur de x est l'horloge du
premier cycle mémoire.
Caractéristiques du chipset à écriture burst EDO DRAM
Burst écriture EDO
L'écriture Burst signifie une écriture de quatre cycles
DRAM
mémoire continus sur quatre adresses prédéfinies au
DRAM. La valeur par défaut est x222 pour EDO
x333
DRAM de 60ns. Ça veut dire que les 2ième, 3ième et
x222
le 4ième cycle mémoire sont 2 horloges CPU pour
EDO. La valeur de x est l'horloge du premier cycle
mémoire.
Caractéristiques du chipset à SDRAM(CAS Lat/RAS-à-CAS)
SDRAM(CAS
Ceci est l'orloge du CAS Latency de SDRAM et le
Lat/RAS-à-CAS)
délai RAS à CAS calculée par horloges. Ils sont les
paramètres
2/2
performance de SDRAM; paramètre par défaut est 2
3/3
horloges. S'il y a un problème d'instabilité dans le
SDRAM, modifiez le 2/2 à 3/3.
Caractéristiques du chipset à Temps de précharge RAS de
SDRAM
Temps de précharge
La précharge RAS signifie que l'horloge désactive le
RAS de SDRAM
RAS et que l'horloge pour DRAM exécute une
précharge avant la prochaine sortie du RAS. RAS est
2T
le signal de contrôle d'adresse de l'adresse de file
3T
DRAM. La valeur par défaut est 3 horloges.
3-14
importants
ayant
un
effet
sur
la
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