Table des Matières
Publicité
Eigenschaften der Laserdiode
Material: GaAlAs
Wellenlänge: 785 nm
Impulszeit:
Lesemodus: 0,8 mW, kontinuierlich
Schreibmodus:
max. 10 mW, 0,5 S
min. Zyklus 1,5 S
Wiederholung
Caractéristiques de la diode laser
Matière: GaAlAs
Longueur d'onde: 785 nm
Durées de l'impulsion:
Mode de lecture: 0,8 mW (ininterrompue)
Mode d'écriture:
10 mW (maxi), 0,5 s
Cycle mini 1,5 s
Répétition
Laserdiodens egenskaper
Material: GaAlAs
Våglängd: 785 nm
Impulstider:
Läsfunktion: 0,8 mW kontinuerlig
Skrivfunktion:
max. 10 mW 0,5 S
min. cykel 1,5 S
Repetition
6v
for SEEG/SEN (TINSZ0873AWZZ)
Proprietà del diodo laser
Materiale: GaAlAs
Lunghezza d'onda: 785 nm
Tempo di impulso:
Modo di lettura: 0,8 mW Continua
Modo di scrittura: max 10 mW 0,5 S
ciclo minimo 1,5 S
Ripetizione
Karakteristieken van laserdiode
Materiaal: GaAlAs
Golflengte: 785 nm
Pulstijden:
Leesfunctie: 0,8 mW Doorlopend
Schrijffunctie:
max. 10 mW 0,5 S
min. cycle 1,5 S
Herhaling
Laser Diode Properties
Material: GaAlAs
Wavelength: 785 nm
Pulse time:
Read mode: 0.8 mW Continuous
Write mode:
max 10 mW 0.5S
min cycle 1.5S
Repetition
Publicité
Table des Matières
