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DRAM Tmng Mode
Le type de tmng DRAM est contrôlé par l'EEPROM SPD (Seral Presence Detect)
du module DRAM. La mse en [Auto] actve le DRAM tmngs et le sousmenu suvant
"Advance DRAM Configuraton" est détermné par le BIOS en foncton de la configuraton
du SPD. La mse en [Lnk] ou [Unlnk] vous permet de configurer le tmngs DRAM et le
sous-menu "Advance DRAM Configuraton" manuellement.
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Advanced DRAM Configuraton
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu.
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Command Rate
Ce réglage contrôle le taux d'ordre DRAM.
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tCL
Il contrôle la latence CAS, qu détermne le retard du tmng (en cycle d'horloge)
avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après l'avor reçu.
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tRCD
Cette foncton vous permet de détermner le tmng de la transton de RAS (row
address strobe) à CAS (column address strobe). Plus basse est la fréquence de
l'horloge, plus rapde est la performance de la DRAM.
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tRP
Cette foncton contrôle le nombre de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS)
est autorsé à pré-charger. S'l n'y a pas assez de temps pour que le RAS accumule
sa charge avant le rafraîchssement de la DRAM, le rafraîchssement peut être n-
complet et le DRAM peut échouer à retrer les données. Cette foncton s'applque
seulement quand le système utlse de la DRAM synchrone.
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tRAS
L'artcle détermne le temps que le RAS prend pour lre ou écrre une cellule de
mémore.
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tRFC
Cette foncton permet de détermner le temps que le RFC prend pour lre ou écrre
une cellule demémore.
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tWR
L'ntervalle de temps mnmum entre la fin d'apparton d'écrture de données et le
début de l'ordre de précharge. Permet aux amplficateurs senstfs de restaurer les
données aux cellules.
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tWTR
L'ntervalle de temps mnmum entre la fin d'apparton d'écrture de données
et le début de l'ordre de pré-charge. Permet au pont I/O de fare sur-fonctonner
l'amplficateur senstf avant qu'un ordre de lecture commence.
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tRRD
Spécfie le déla actf-à-actf des dfférentes banques.
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tRTP
L'ntervalle de temps entre un ordre de lecture et un ordre de pré-charge.
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