Transistor-Test (Hfe); Technische Daten - Velleman DVM830 Notice D'emploi

3.4. Widerstand messen
1. Verbinden Sie die schwarze Messleitung (-) der COM-Eingangsbuchse und verbinden Sie die
rote Messleitung (+) mit der VΩmA-Eingangsbuchse.
2. Stellen Sie den Funktionsschalter auf den Ω-Bereich und verbinden Sie die Messleitungen mit
der zu messenden Last.
Bemerkungen :
1. Wenn der Eingang nicht verbunden ist, d.h. eine offene Schaltung, wird "1" gezeigt werden.
2. Wenn Sie den schaltungsinternen Widerstand prüfen, müssen Sie darauf achten dass die zu
messende Schaltung vom Netz getrennt ist und alle Kondensatoren völlig entladen sind.
3.5. Diodentest
1. Verbinden Sie die schwarze Messleitung (-) mit der COM-Eingangsbuchse und die rote
Messleitung (+) mit der VΩmA-Eingangsbuchse.
2. Stellen Sie den Funktionsschalter auf den
mit der Diode. Das Display zeigt die annährende Durchlassspannung der Diode.

3.7. Transistor-Test (hFE)

1. Stellen Sie den Funktionsschalter auf den hFE-Bereich.
2. Bestimmen Sie, ob der Transistor NPN oder PNP ist und lokalisieren Sie die Basis- Sender-
und die Kollektorleitungen. Bringen Sie die Leitungen in die entsprechenden Löcher der hFE-
Buchse auf der Frontplatte ein.
3. Das Display wird den annähernden hFE-Wert im Moment des Tests zeigen.

4. Technische Daten

Maximale Genauigkeit wird während einer Periode von einem Jahr nach der Kalibrierung erreicht.
Ideale Umstände erfordern eine Temperatur zwischen 18 und 28°C (64 bis 82°F) und eine
maximale relative Feuchte von 75%.
4.1. Allgemein
Max. Spannung zwischen Eingangsbuchse
und Erdung
Display
Sicherungsschutz
Spannungsversorgung
Bereich-Methode
Polaritätsanzeige
Überlastungsanzeige
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Abmessungen
Gewicht
DVM830
Bereich und verbinden Sie die Messleitungen
600VDC oder VAC rms (Sinus)
3 ½-stelliges LCD
Bereich 200mA : F 0.2A/250V
Bereich 10A : kein
9V-Batterie
Manual
" - " wird gezeigt
" 1 " wird automatisch gezeigt
0°C bis 35 °C
-15°C bis 50 °C
126 x 70 x 24 mm
170 g
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