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3.4 Photodiode avec transistor branché en aval
3.5 Gain en courant du phototransistor
Fig. 7
Le gain en courant est mesuré lorsque le phototransistor est couvert. Le courant de base se calcule à partir de la différence de potentiel aux bor-
nes de la résistance série.
La ganancia de corriente se mide con el fototransistor cubierto. La corriente de base se calcula a partir de la diferencia de potencial en la resisten-
cia en serie.
3.6 Circuit récepteur de lumière du phototransistor
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by Leybold Didactic GmbH,
3.4 Fotodiodo con transistor en serie
Fig. 6
Le courant de base du transistor est commandé par l'éclairement de la
photodiode. Cela permet de mesurer des différences de potentiel
caractéristiques des courants nettement plus grandes que dans l'ex-
périence 3.2.
La corriente de base del transistor se controla mediante iluminación del foto-
diodo. Con ello, en la resistencia de protección, se pueden registrar diferen-
cias de potencial - como medida de las corrientes - claramente mayores que
en el experimento 3.2.
3.5 Ganancia de corriente del fototransistor
3.6 Circuito fotoreceptor del fototransistor
Fig. 8
Le circuit correspond au montage expérimental 3.4 avec la photodiode.
Il permet de recevoir par ex. des signaux de lumière modulés par le
biais de fibres optiques et de les rendre audibles en remplaçant la
résistance par un haut-parleur (par ex. 579 28). Aussi bien l'énergie
électrique que l'énergie solaire influencent le comportement de passage
de la jonction collecteur-émetteur.
El circuito corresponde al montaje experimental 3.4 con el fotodiodo. Con él
se pueden recibir por ej., a través de fibra óptica, señales luminosas modu-
ladas que se pueden hacer audibles, cambiando la resistencia por un alta-
voz (por ej. 579 28). El comportamiento en el sentido de conducción de la
juntura colector- emisor se ve afectado tanto por la energía eléctrica como
por la lumínica.
Printed in the Federal Republic of Germany
Technical alterations reserved
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