I À Propos De La Carte Sd; Protection Contre L'écriture - Toshiba PDR-T10 Mode D'emploi

À propos de la carte SD
La carte de mémoire SD peut être utilisée comme support de
stockage pour cet appareil photo. Tout au long de ce mode d'emploi,
la carte de mémoire SD sera désignée par le terme "Carte SD".
Veuillez respecter les précautions suivantes lors de la manipulation de
la carte SD (fournie).
Attention
• La carte SD comprend une mémoire de semi-conducteur non-volatil (NAND Flash
EEP-ROM). En conditions de normal usage de la carte SD, les images sauvegardées
dans la carte SD ne seront pas effacées. Si vous utilisez la carte SD improprement,
cependant, les données seront détruites (perdues). Notez que Toshiba Corporation
rejette toute responsabilité pour la destruction (perte) des données enregistrées,
sans tenir compte du type ou la cause du problème ou de l'endommagement.
• La carte SD utilise une partie de la mémoire pour servir la région de système basée
sur la carte SD, ainsi, la capacité actuelle de mémoire utilisable est plus basse que la
capacité indiquée.
• La carte SD est déjà formatée et elle est prête à usage. Si vous voulez reformater
une carte pour effacer les images ou dossiers, cependant, assurez-vous de faire ceci
dans l'appareil photo. Le formatage de la carte de mémoire SD sur d'autres appareils
(PC, etc.) peut avoir pour conséquence des problèmes divers, comme par exemple
l'impossibilité de lire ou d'écrire des données, une réduction de la vitesse d'écriture,
etc..
• Nous vous conseillons de sauvegarder les données importantes.
Protection contre l'écriture
Pour éviter d'effacer par accident des données
importantes, déplacez la languette de protection
contre l'écriture au bord de la carte à la position
"LOCK". Les données ne pourront plus être sur-
enregistrées (verrouillage). Pour écrire ou
effacer des données de la carte SD, dégagez
l'état de protection contre l'écriture.
Fiche technique
Type de mémoire:
Température de fonctionnement:
Température de stockage:
Humidité de fonctionnement/stockage: 30% à 80% RH
Dimensions:
Poids:
14
Mémoire Flash NAND
0°C à 55°C
-20°C à 65°C
Même dans la plage montrée ci-dessus, ne pas exposer à
soudains changes de température car une condensation
d'humidité aura tendance à se produire.
24,0 x 32,0 x 2,1mm (L x P x H)
Approx. 2g
LOCK
Languette de protection
contre l'écriture
LOCK
État de protection
d'écriture