GIGA-BYTE TECHNOLOGY GA-E350N-USB3 Manuel D'utilisation page 33

DRAM Configuration
CMOS Setup Utility-Copyright (C) 1984-2010 Award Software
DDR3 Timing Items
x 1T/2T Command Timing
x CAS# latency
x RAS to CAS R/W Delay
x Row Precharge Time
x Minimum RAS Active Time
x TwTr Command Delay
x Trfc0 for DIMM1
x Trfc1 for DIMM2
x Write Recovery Time
x Precharge Time
x Row Cycle Time
x RAS to RAS Delay
x Four Bank Activate Window
Bank Interleaving
higf: Move Enter: Select
F5: Previous Values
DDR3 Timing Items
Manual permet de régler les éléments de sunc DDR3 suivants.
Les options sont : Auto (par défaut), Manual.
1T/2T Command Timing
Les options sont : Auto (par défaut), 1T, 2T.
CAS# latency
Les options sont : Auto (par défaut), 5T~14T.
RAS to CAS R/W Delay
Les options sont : Auto (par défaut), 5T~14T.
Row Precharge Time
Les options sont : Auto (par défaut), 5T~14T.
Minimum RAS Active Time
Les options sont : Auto (par défaut), 15T~36T.
TwTr Command Delay
Les options sont : Auto (par défaut), 4T~8T.
Trfc0 for DIMM1
Les options sont : Auto (par défaut), 90ns, 110ns, 160ns, 300ns, 350ns.
Trfc2 for DIMM2
Les options sont : Auto (par défaut), 90ns, 110ns, 160ns, 300ns, 350ns.
Write Recovery Time
Les options sont : Auto (par défaut), 5T~8T, 10T, 12T, 14T, 16T.
Precharge Time
Les options sont : Auto (par défaut), 4T~8T.
Row Cycle Time
Les options sont : Auto (par défaut), 20T~49T.
DRAM Configuration
[Auto] SPD Auto
Auto -- --
Auto 9T 8T
Auto 9T 8T
Auto 9T 8T
Auto 24T 20T
Auto 5T 4T
Auto 90ns 90ns
Auto -- --
Auto 10T 8T
Auto 5T 4T
Auto 33T 27T
Auto 4T 4T
Auto -- --
[Enabled]
+/-/PU/PD: Value F10: Save
F6: Fail-Safe Defaults
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Item Help
Menu Level 
ESC: Exit F1: General Help
F7: Optimized Defaults
Configuration du BIOS