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MSI H61M-P20 G3 Serie Mode D'emploi page 137

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eiSt
增強型 intel SpeedStep 技術 (eiSt) 可設定微處理器的效能表現。本項在安裝支
援 intel SpeedStep 技術的 CPu 才會顯示。
intel turbo Boost
本項在安裝支援本技術的處理器時方會出現,用來開啟或關閉本技術。intel turbo
Boost 技術可於程式有效能需求且指定 tdP 時,動態逐步提升處理器頻率。本技
術還可呈現流暢的電源效能 (動態提升或 Speed-Step 下降)。
oC Genie Button operation
本項用以開啓或關閉 oC Genie 功能。
drAM Frequency
本項調整記憶體頻率。
Adjusted drAM Frequency
本項顯示調整後記憶體的頻率。唯讀。
drAM timing Mode
本項選擇是否由在 drAM 模組上的 SPd (Serial Presence detect) eeProM
來配置 drAM 時序。設為 [Auto] 開啟記憶體時序以及以下 "Advanced drAM
Configuration" 子選單由 SPd 設定上的 BioS 控制。選擇 [Link] 或 [unlink] 可手
動設定記憶體時序及 "Advanced drAM Configuration" 的相關選項。
Advanced drAM Configuration
按下 <enter> 鍵以進入子選單。
Command rate
本設定控制 drAM command rate。
tCL
本項控制行位址信號 (CAS) 延遲,也就是於 SdrAM 接收讀取指令後,開始進
行讀取前的延遲時間 (以時脈計)。
trCd
在 drAM 更新時,列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (rAS) 到行位
址 (CAS) 之間的過渡時間。時脈數越少,記憶體的效能越好。
trP
本項控制列位址(rAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間,讓列位址在記憶體更
新之前預充電,更新可能會不完全,且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系
統安裝同步動態隨機存取記憶體時。
MS-7788
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