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Lenovo ThinkSystem SD650 V2 Guide De Configuration page 61

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– S = empilage DRAM à chargement unique (3DS)
• e = vide pour SDP, DDP et QDP, autre pour les modules utilisant des piles 3DS, des rangs
logiques par rang de module
– 2 = 2 rangs logiques dans chaque rang de module
– 4 = 4 rangs logiques dans chaque rang de module
– 8 = 8 rangs logiques dans chaque rang de module
– R = rang(s)
– xff = organisation du périphérique (largeur de bit d'informations) des SDRAM utilisés sur ce module
• x4 = organisation x4 (4 lignes DQ par SDRAM)
• x8 = organisation x8
• x16 = organisation x16
– wwwww représente la bande passante de la barrette DIMM, exprimée en Mbits/s : 2 133, 2 400, 2 666,
2 933, 3 200
– aa est la vitesse SDRAM
– m représente le type de barrette DIMM
– E = Barrette UDIMM, bus de données principal x64 bits + bus de données de module 8 bits avec
ECC
– L = Barrette LRDIMM, bus de données principal x64 bits + bus de données de module 8 bits avec
ECC
– R = Barrette RDIMM, bus de données principal x64 bits + bus de données de module 8 bits avec
ECC
– U = Barrette UDIMM sans ECC (bus de données principal x64 bits)
– cc correspond au fichier de référence utilisé pour cette conception
– d représente le numéro de révision de la conception de référence utilisée
– bb représente le niveau JEDEC SPD Revision Encoding and Additions utilisé sur cette barrette DIMM
La figure ci-après présente l'emplacement des connecteurs DIMM sur la carte mère.
Figure 33. L'emplacement des connecteurs DIMM sur la carte mère
Ordre d'installation des barrettes DRAM
Les modules de mémoire doivent être installés dans un ordre spécifique, selon la configuration de mémoire
que vous implémentez sur le nœud.
Les configurations de mémoire suivantes sont disponibles :
.
Chapitre 3
Configuration matérielle de la solution
57

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Ce manuel est également adapté pour:

Thinksystem sd650-n v2