Alcatel 427 Manuel De Maintenance page 21

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CYCLE DE LECTURE EN ZONE MEMOIRE
Pendant la lecture en zone mémoire extérieure (EPROM de personnalisation MN04, RAM, MN05)
le signal PSEN est à" 1 " : MN03 n'est pas sélectionné. La commande R/P permet de sélectionner
la RAM ou l'EPROM. Les adresses et données sont multiplexées sur le bus DB.
Pendant une opération de lecture RD passe à "0". La sortie 3 de 2/4 MN06 est à " t ". Si la lecture
est faite en RAM l'entrée R/P (RAM - PROM) est à " 1 " donc 6 de 3/4 MN06 est à "0" et 11 de 4/4
MN06 à " 1 ". Le transistor QO1 conduit et E _ "0" ce qui permet la lecture des données de la RAM
MN05 présentes sur le bus DB au front montant de RD.
Quand la lecture est affectée en EPROM de personnalisation MN04 le signal R/P est à "0".

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