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L ' é t u d e q u e n o u s v e n o n s d e f a i r e e s t a p p l i -
q u é e à l a r é a l i s a t i o n d ' u n g é n é r a t e u r d e
s i g n a u x r e c t a n g u l a i r e s ,
p r é v u p o u r d o n n e r
six fréquences étagées de 30kHz à
' 1 0 M H z .
L e s c h é m a c o m p l e t e n e s t i n d i q u é d a n s l a
figure 8. L'alimentation s'etfectue sous une
t e n s i o n d e 1 2 V , s t a b i l i s é p a r l a d i o d e
z e n e r D Z t q u ' a l i m e n t e l a r é s i s t a n c e R l d e
2 2 O Q . E n a v a l , i l f a u t a p p l i q u e r u n e t e n -
s i o n d e 1 5 à 1 7 V e n v i r o n ( n o u s v e r r o n s
p l u s l o i n l a p a r t i e a l i m ê n t a t i o n ) . C e t t e i e n -
s i o n d e 1 2 V e s t d é c o u p l é e p a r l e c o n d e n -
s a t e u r é l e c t r o c h i m i q u e C z d e 4 7 p F , e l p a r
l e c o n d e n s a t e u r C t , d e 2 2 n F , à f i l m p l a s t t -
q u e .
Les deux trânsistors utilisés sont des NPN
p o u r c o m m u t a t i o n r a p i d e , d e t y p e 2 N 2 3 6 8 .
L e p o t e n t i e l d e b a s e d e T r e s t m a i n t e n u à
6 , 2 V , g r à c e a l a d i o d e z e n e r D Z z e l a l a
r é s i s t a n c e B , d e 3 , 3 k Q . O n a c h o i s i d e s
résistances de charge très faibles, pour
m i n i m i s e r l ' i n T l u e n c e d e s c a p a c i t é s p a r a -
s i t e s . R 3 , d a n s l e c o l l e c t e u r d e T 1 , n e f a i t
q u e 1 8 0 Q .
Les valeurs des résistances d'émetteurs
f i x e n t l e r a p p o r t c y c l i q u e . O n o b t i e n t , a v e c
c e l l e s q u e n o u s a v o n s c h o i s i s ( R a = 6 8 0 O
et R6 = 820 O), des créneaux symétriques.
E2 -^v
E1+ÀV
q
Figure 7
Figure I
+ 1 5 è 1 7 v
Ê j -
t 2
2N864
C4 330pF
3,3ôF
C g 3 3 n F
Ca 100^r
C 6
É-
F-
l%
k
t%
|%
Figure I
73
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