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1.6. SPÉCIFICATIONS DE LA SÉRIE PE-B
Table VI. PE-B Series Specifications for Gentec-eo Monitors
Détecteur
Compatibilité avec
moniteur
Absorbeur
Domaine spectral
Sensibilité typique
Temps de monté
0-100%
Taux de répétition
max.
Largeur d'impulsion
max.
Énergie mesurable
maximum
Densité d'énergie
maximum
Densité de puissance
moyenne Max
Puissance equivalent
g
au bruit (NEP)
Incertitude
Ouverture effective
Zone sensible
Dimensions
Poids
Dependence position
du faisceau
g
La photodiode est étalonnée à une longueur d'onde et corrigée spectralement selon une courbe type.
g
Pour les mesures de faible énergie, la photodiode doit être protégée de la lumière ambiante et
idéalement utilisée dans la noirceur.
Série PH Guide de l'utilisateur
Version 2.7
PE10B-Si
Silicon UV
210 to 1080 nm
30 MV/J @ 634 nm
1 GV/J @ 1310 nm
30 µs
1000 Hz
10 µs
M-Link : 0.075 µJ
S-Link : 0.081 µJ
Integra : 0.081 uJ
Maestro : 0.069 µJ
(@ 634nm)
2
5 µJ/cm
2
65 mW/cm
(@ 532 nm)
1.5 pJ @ 634nm
210 - 219 nm: ±8.0%
220 - 399 nm: ±6.5%
400 - 899 nm: ±2.5%
900 - 999 nm: ±3.5%
800-1650 nm: ±3.5%
1000 -1049 nm:
±5.0%
1050-1080 nm:
±7.0%
10 mm Ø
2
0.9 cm
±1% @ 652 nm
±3% @ 1064 nm
PE5B-Ge
Maestro, M-Link, S-Link
Germanium
800 to 1650 nm
210 to 1080 nm
100 GV/J @ 634 nm
25 µs
1000 Hz
10 µs
M-Link : 2.2 nJ
S-Link : 2.4 nJ
Integra : 2.4 nJ
Maestro : 2.0 nJ
Maestro : 20 pJ
(@ 1310 nm)
2
5 µJ/cm
2
<320 mW/cm
(@ 1064 nm)
1 pJ @ 1310 nm
±4% only @ 634 nm
5 mm Ø
2
0.2 cm
38.1mm Ø x 27.4Dmm
91 g
±1% @ 1064 nm
±3% @ 800 nm
Gentec Electro-Optics Inc. Tous droits réservés
PE3B-Si
Silicon UV
g
900 to 1700 nm
10 GV/J @ 1310 nm
15 µs
1000 Hz
10 µs
M-Link : 22 pJ
M-Link : 223 pJ
S-Link : 24 pJ
S-Link : 245 pJ
Integra : 24 pJ
Integra : 245pJ
Maestro : 200 pJ
(@ 634 nm)
(@ 1310 nm)
n/a
n/a
8 fJ @ 634nm
30 fJ@ 1310nm
±4% only @ 1310 nm
3 mm Ø
2
0.07 cm
n/a
9
PE3B-In
InGaAs
h
12 µs
1000 Hz
10 µs
n/a
n/a
3 mm Ø
2
0.07 cm
n/a
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