Caractéristiques
Forme
Sectionnement
à volonté
Détection des
tranches de
semi-conduc-
teurs/faibles dif-
férences de
hauteur Tempé-
rature ambiante
de
fonctionnement :
-40 à +105 °C
Structure de
protection : CEI
60529, IP50
Sectionnement
à volonté
Détection des
tranches de
semi-conduc-
teurs/faibles dif-
férences de
hauteur Structure
de protection :
CEI 60529, IP50
*1. La distance de détection correspond à la valeur obtenue avec un papier blanc.
*2. Indique les valeurs pour le mode standard.
E3X-DA-N
Amplifica-
teurs com-
Distance de détection (mm)*1
patibles
(E3X-)
4 ±2
DA#-N
4 ±2
4 ±2
7,2 ±1,8
DA#-N
7,2 ±1,8
7,2 ±1,8
3,3
DA#-N
3,3
3,3
3,3
DA#-N
3,3
3,3
Objet standard (mm)
}Défaut détectable mini-
Modèle
mum de l'objet *2 (Fil d'or)
E32-L24L
E32-L25L
25 x 25
(diamètre 0,01 mm)
E32-L25
E32-L25A
Rayon de
courbure
admissible
10 mm
25 mm
A-25