MSI H67A-G43 Série Mode D'emploi page 67

MS-7750 Mainboard MS-7750 Mainboard
▶ EIST
Die erhöhte Intel SpeedStep Technologie erlaubt Ihnen, den Leistungsgrad des Mi-
kroprozessors einzustellen, ob der Computer auf Wechselstrom läuft. Dieses Figur
erscheint, nachdem Sie das CPU anbringen, das Speedstep Technologie stützen.
▶ Intel Turbo Boost
Das Untermenü erscheint, wenn Sie eine CPU anbringen, die die Intel Turbo Boost
Technologie unterstützt. Hier können Sie die Intel Turbo Boost Technologie aktivieren/
deaktivieren. Die Prozessorfrequenz kann dynamisch erhöht werden, wenn Anwend-
ungen mehr Leistung verlangen und genügend Reserven zur maximalen Leistungsauf-
nahme bestehen. Die Leistung kann dynamisch erhöht oder reduziert werden. Diese
Technologie ist ein Bestandteil neuer Intel Prozessoren.
▶ OC Genie Button Operation
Hier können Sie die OC-Genie-Funktion aktivieren/ deaktivieren.
▶ DRAM Frequency
Hier können Sie die Speicherfrequenz einstellen. Bitte beachten Sie, dass die Übertak-
tung nicht garantiert ist.
▶ Adjusted DRAM Frequency
Zeigt die Speicherfrequenz an. Nur Anzeige – keine Änderung möglich.
▶ DRAM Timing Mode
Wählen Sie aus, wie das DRAM-Timing durch das SPD (Serial Presence Detect) EE-
PROM des DRAM-Moduls gesteuert wird. Die Einstellung [Auto] ermöglicht die automa-
tische Erkennung der DRAM-Timings anhand der SPD Daten. Im Untermenü Advanced
DRAM Configuration können die Einstellungen für die Module einzeln [Unlink] oder für
alle Module gemeinsam [Link] manuell vorgenommen werden.
▶ Advanced DRAM Configuration
Drücken Sie die Eingabetaste <Enter>, um das Untermenü aufzurufen.
▶ Command Rate
Legt die DRAM Kommandorate fest.
▶ tCL
Hier wird die Verzögerung (CAS-Timing) in Taktzyklen eingestellt, bevor das SDRAM
einen Lesebefehl nach dessen Erhalt ausführt.
▶ tRCD
Wenn DRAM erneuert wird, werden Reihen und Spalten separat adressiert. Dies
gestattet es, die Anzahl der Zyklen und der Verzögerung einzustellen, die zwischen
den CAS und RAS Abtastsignalen liegen, die verwendet werden, wenn der DRAM
beschrieben, ausgelesen oder aufgefrischt wird. Eine hohe Geschwindigkeit führt zu
höherer Leistung, während langsamere Geschwindigkeiten einen stabileren Betrieb
bieten.
▶ tRP
Legt die Anzahl der Taktzyklen fest, die das Reihenadressierungssignal (Row Ad-
dress Strobe - RAS) für eine Vorbereitung bekommt. Wird dem RAS bis zur Auf-
frischung des DRAM nicht genug Zeit zum Aufbau seiner Ladung gegeben, kann der
Refresh unvollständig ausfallen und das DRAM Daten verlieren. Dieser Menüpunkt
ist nur relevant, wenn synchroner DRAM verwendet wird.
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