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Echec lecture (Read miss), Succès écriture (Write hit) et Echec écriture (Write miss).
Read hit signifie que l'ordinateur lit des données depuis la SRAM et, par conséquent, n'a
pas à les chercher dans la DRAM. Read miss signifie que l'ordinateur ne trouve pas les
données dans la SRAM et qu'en conséquence il lit des données dans la DRAM et les écrira
ensuite dans la SRAM. Write hit signifie que le système écrit les données à la fois dans la
SRAM et dans la DRAM. Write miss signifie que le système n'écrit les données que dans
la DRAM.
Suivant le modèle que vous avez acheté, votre ordinateur peut être doté de 256 Ko de
cache externe (en option) situé sur les positions U2D1, U2D2, U3D1, U3D2, U2E1,
U2E2, U3E1 et U3E2 de la carte mère. D'autres modèle sont dotés d'un connecteur (en
option) CELP sur la position LS1E1 de la carte mère.
REMARQUES : les ordinateurs dotés d'un connecteur CELP peuvent être configurés
avec un cache externe soit de 0 Ko, soit de 256 Ko (en tant que module simple COAST
installé sur le connecteur CELP). Ces ordinateurs prennent en charge les modules mémoire
asynchrones dont la liste figure ci-dessous. (Pour plus de détails sur l'installation des
modules cache COAST, reportez-vous au
• 256K ASYNCH (3.3v): Corsair C535L256K3C-A1
• 256K ASYNCH (Level-translated):
Corsair C535L256K3C-3IOCDA1;
Corsair C535L256K3C-3IOCDA2;
Corsair C535L256K3C-3IOCDA3
• 256K ASYNCH (Mixed Mode): Smart IN332Q4A0842G15
chapitre 5: Installations
spécifiques).
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