Donnees Techniques - gefran RZ HDP0 Série Manuel D'utilisation

Etoile (charge avec neutre)
Entrées
RZ...HDP0
Tension de contrôle: 10...40Vcc
Tension d'activation: ≥ 10Vcc
Tension de désactivation: ≤ 3Vcc
Courant d'entrée: ≤ 18 mAcc @10Vcc
≤ 22 mAcc @ 24Vcc
≤ 28 mAcc @ 40Vcc
Temps de réponse à l'activation:
Sortie de puissance ≤ 10ms
Temps de réponse de désactivation:
Sortie de puissance ≤ 10ms
Sorties
RZ.10..HDP0
Courant nominal AC1:10Arms / AC3:2Arms
Courant minimum de fonctionnement:
100mArms
Surintensité répétitive t=1s: ≤ 18Arms
Surintensité non répétitive t=20ms:120Ap
Courant de fuite aux courant et tension
nominaux: ≤ 10mArms
t pour fusion t=1-10 ms: ≤ 72A
2
I
dl/dt critique: ≥ 50A/µs
Chute de tension au courant nominal:
≤ 1,6Vrms
DV/dt critique avec sortie désactivée:
≥ 500V/µs
RZ ...HDP0
RELAIS STATIQUE TRIPHASE
Caractéristiques générales
RZ 40...HDP0
Tension nominale: 24...400Vcarms
Tension de travail max: 440Vcarms
Tension non répétitive: ≥ 1000V
Fréquence nominale: 45...65Hz
RZ 48...HDP0
Tension nominale: 24...480Vcarms
Tension de travail max: 550Vcarms
Tension non répétitive: ≥ 1200V
Fréquence nominale: 45...65 Hz
RZ..25..HDP0
Courant nominal AC1:25Arms/AC3:5Arms
Courant minimum de fonctionnement:
100mArms
Surintensité répétitive t=1s: ≤ 37Arms
Surintensité non répétitive t=20ms:230Ap
Courant de fuite aux courant et tension
nominaux: ≤ 10mArms
Triangle
t pour fusion t=1-10 ms: ≤ 265A
2
I
dl/dt critique: ≥ 50A/µs
Chute de tension au courant nominal:
≤ 1,6Vrms
DV/dt critique avec sortie désactivée:
≥ 500V/µs
RZ..40..HDP0
Courant nominal AC1:40Arms/AC3:8Arms
Courant min. de fonctionnement: 200mArms
Surintensité répétitive t=1s: ≤ 60Arms
Surintensité non répétitive t=20ms:300Ap
Courant de fuite aux courant et tension
nominaux: ≤ 10mArms
t pour fusion t=1-10 ms: ≤ 450A
2
I
dl/dt critique: ≥ 100A/µs
Chute de tension au courant nominal:
≤ 1,6Vrms
DV/dt critique avec sortie désactivée:
≥ 500V/µs
RZ..55..HDP0
Courant nominal AC1:55Arms/AC3:15Arms
Courant min. de fonctionnement: 200mArms
Surintensité répétitive t=1s: ≤ 85Arms
Surintensité non répétitive t=20ms:550Ap
Courant de fuite aux courant et tension
nominaux: ≤ 10mArms
2
s
t pour fusion t=1-10 ms: ≤ 1500A
2
I
dl/dt critique: ≥ 100A/µs
Chute de tension au courant nominal:
≤ 1,6Vrms
DV/dt critique avec sortie désactivée:
≥ 500V/µs

DONNEES TECHNIQUES

Isolation
VCArms 3 periodes
Tension d'isolation nominale:
Entrée / sortie: ≥ 5660V
Entrée/contact auxiliaire: ≥ 5660V
Entrée/dissipateur: ≥ 5660V
Tension d'isolation nominale:
Sortie/dissipateur: ≥ 4240V
Sortie/sortie: ≥ 4240V
2
s
VCArms 1min
Tension d'isolation nominale:
Entrée / sortie: ≥ 4000 V
Entrée/contact auxiliaire: ≥ 4000 V
Entrée/dissipateur: ≥ 4000V
Tension d'isolation nominale:
Sortie / dissipateur: ≥ 2500 V
Sortie/sortie: ≥ 2500 V
Caractéristiques thermiques
RZ..10..HDP0
Temp. de fonctionnement: -20°C...+80°C
Temp. de stockage: -40°C...+100°C
2
s
Temp. de la jonction: ≤ 125°C
Rth jonction/boitier triphasé: 0,75K/W
RZ..25..HDP0
Temp. de fonctionnement: -20°C...+80°C
Temp. de stockage: -40°C...+100°C
Temp. de la jonction: ≤ 125°C
Rth jonction/boitier triphasé: 0,5K/W
RZ..40..HDP0
Temp. de fonctionnement: -20°C...+80°C
Temp. de stockage: -40°C...+100°C
Temp. de la jonction: ≤ 125°C
Rth jonction/boitier triphasé: 0,3K/W
2
s
RZ..55..HDP0
Temp. de fonctionnement: -20°C...+80°C
Temp. de stockage: -40°C...+100°C
Temp. de la jonction: ≤ 125°C
Rth jonction/boitier triphasé: 0,2K/W
11