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Knick Stratos Multi E401N Manuel Utilisateur page 231

De process

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Stratos Multi E401N
16 Abréviations
CEM
Compatibilité électromagnétique
CIP
Cleaning In Place (nettoyage sur place)
CT
Compensation de température ou coefficient de température
DIN
Deutsches Institut für Normung (Institut allemand de normalisation)
EEPROM
Electrically Erasable Programmable Read-only Memory
(mémoire morte programmable effaçable électriquement)
EN
Norme européenne
ESD
Electrostatic Discharge (décharges électrostatiques)
FW
Firmware (progiciel)
HART
Highway Addressable Remote Transducer
IEC
International Electrotechnical Commission (Commission électrotechnique internationale - CEI)
IP
International Protection / Ingress Protection (indice de protection relatif à l'étanchéité)
ISFET
Ion-Sensitive Field-Effect Transistor (transistor à effet de champ sensible aux ions)
ISM
Intelligent Sensor Management
LDO
Luminescent Dissolved Oxygen
NAMUR
Interessengemeinschaft Automatisierungstechnik der Prozessindustrie e.V. (Association d'utilisateurs
des technologies d'automatisation dans l'industrie de process)
NE 107
Recommandation NAMUR 107 : autocontrôle et diagnostic des appareils de terrain
NEMA
National Electrical Manufacturers Association, USA
NIST
National Institute of Standards and Technology, USA
NTC
Negative Temperature Coefficient (coefficient de température négatif )
PCS
Process Control System (système de contrôle du process)
PELV
Protective Extra Low Voltage (très basse tension de protection)
PID
Proportional-Integral-Differential
RAM
Random-Access Memory (mémoire à accès direct)
RoHS
Restriction of Hazardous Substances (restriction de l'utilisation de substances dangereuses)
SELV
Safety Extra Low Voltage (très basse tension de sécurité)
SIP
Sterilization In Place (stérilisation sur place)
TAN
Transaction Number (numéro de transaction)
TDS
Total Dissolved Solids
TFT
Thin Film Transistor (transistor en couches minces)
USP
U.S. Pharmacopeia
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