KAPAZITÄT (nur Modell 600.219)
Bereich
2000pF
20nF
200nF
2µF
20µF
TRANSISTOR hFE TEST
Bereich
PNP & NPN
TEMPERATUR (nur Modell 600.219)
Bereich
TEMP.
NB!: Die Temperaturmessung erfolgt über eine Thermokupplung
des Typs ‚K' (mitgeliefert)
DIODEN- UND DURCHGANGSTEST
Bereich
Vorwärtsdurchlassspannung
erscheint auf dem Display.
Der Summer ertönt, wenn
gemessenen Verbindung
hFE
0 ~ 1000
Temperaturbereich
0ºC ~ 400ºC
400ºC ~ 1000ºC
Beschreibung
Die
der getesteten Diode
( Si-Diode ca. 0,6V)
der Widerstand der
kleiner als 30 Ohm ist
Auflösung
1pF
10pF
100pF
1nF
10nF
Teststrom
Ib
≈ 10µA
Auflösung
1ºC
1ºC
Genauigkeit
±(5.0%+5 Digits)
Testspannung
Vce ≈ 2.0V
Genauigkeit
±(1.5%+5ºC)
±(1.5% +15ºC)
Testbedingung
Der Messstrom beträgt
ca. 1mA. Die
Rückwärtsspannung ist
auf ca. 2,8V eingestellt
Messspannung ca. 2,8V