STAMOS S-Plasma 50 Manuel D'utilisation page 9

INFORMATIONEN ZU S-PLASMA 120
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IGbT IGBT:
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
(english Insulated Gate Bipolar Transistor, kurz IGBT)
ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der
Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des
Bipolartransistors (z.B. gutes Durchlassverhalten, hohe
Sperrspannung, Robustheit beim Schweißgeräten) und Vorteile
eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung)
vereinigt. Vorteilhaft ist auch eine gewisse Robustheit
gegenüber Kurzschlüssen, da der IGBT den Laststrom
begrenzt. IGBTs sind eine Weiterentwicklung des vertikalen
Leistungs-MOSFETs.
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ZUBEHÖR ZU S-PLASMA 120
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1. Druckminderer + Manometer
2. Luftschlauch
3. Masseklemme
4. Plasmabrenner
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